廢氣處（chù）理設備的種類

廢氣處理設備的種（zhǒng）類分為吸收設備、吸附設備、催化燃燒設備、等離子治理設備。下麵（miàn）源和小編針對廢氣處理設備的種類為大家一一介紹。

吸收（shōu）設備（bèi）

吸收法采用低揮（huī）發或不（bú）揮發性溶劑對（duì）VOCs進行吸收，再利用VOCs和吸收劑物理性質的差異進行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進（jìn）入塔內，在上升過程（chéng）中與來自塔頂的吸收（shōu）劑逆流接觸，淨化後的氣體由塔頂排出。吸收了（le）VOCs的吸收劑通（tōng）過熱交換（huàn）器後，進入汽提塔頂部，在溫度高於吸收溫度或壓力低於吸收壓力的（de）條件下解吸。解吸後的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝後回（huí）到吸收塔。解（jiě）吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液（yè）分離器後以較純的VOCs氣體離開汽提（tí）塔，被回收利用。該工藝適合於VOCs濃度較（jiào）高、溫度較低的氣體（tǐ）淨化，其他情況下需要作相應的工藝調整。

吸附設備

在用多孔性固體物質處理流體混合物時，流體中（zhōng）的某一組分或某些組分可被吸表（biǎo）麵並濃集其上，此現象稱為吸附。吸附處理廢氣時，吸附的對（duì）象是氣態汙染物，氣固吸附。被（bèi）吸附的氣（qì）體（tǐ）組分稱為吸附（fù）質，多（duō）孔固體物質稱為吸附劑。

固（gù）體表麵吸附了吸附質後，一（yī）部被吸附的吸附（fù）質可從吸附劑表麵脫離，此現附。而當（dāng）吸附進行一段時間後，由於表麵吸附質（zhì）的濃集，使其吸附能力（lì）明顯下（xià）降而吸附淨（jìng）化的要求（qiú），此時需要采用一定的措施使吸附（fù）劑上已吸附的吸附質脫附，以（yǐ）協的吸附能力（lì），這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附（fù）工程中，正（zhèng）是利用吸附一再生一再吸附的循環過程（chéng），達到除去廢氣中汙染（rǎn）物質並回（huí）收廢氣中有用組分。

催化燃燒設備

燃燒法用（yòng）於處理高濃度Voc與有惡臭（chòu）的化（huà）合物很有效，其原理是（shì）用過量的空（kōng）氣使這些（xiē）雜質燃燒，大多數生成二氧化碳和水蒸氣，可以（yǐ）排放到大氣中。但當處理含氯（lǜ）和含硫的有機化合物時，燃燒生成產物中HCl或（huò）SO2，需要對燃燒後（hòu）氣體（tǐ）進一步處理。

等離子治理設備

等離子體就是處於電離狀態（tài）的氣體，其英文名稱是plasma，它（tā）是由美國科（kē）學 muir，於1927年在研究低氣壓下汞蒸氣（qì）中放電現象時命名的。等離（lí）子體由大量的子（zǐ）、中性原子、激發態原子、光子和自由基等組成，但電子和正離子的電荷數必須體表現出電中性，這就是“等離子體”的含義。等離子體（tǐ）具有導電和（hé）受電磁影響的（de）許多方（fāng）麵與固體、液體和氣體不同，因此又有人（rén）把它（tā）稱為物（wù）質的第四種狀（zhuàng）態。根據狀態、溫度和離子密度（dù），等離子體通常可以分（fèn）為高溫等離子體（tǐ）和低溫等離子體（包子體（tǐ）和冷等離子體）。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子溫度幾乎相同（tóng）係（xì）處於熱力學平衡狀態，它主要應用在受控熱核反應研究方麵（miàn）。而低溫等離子體則學非平衡狀態，各種粒子溫度並不相同。其中電子溫度（dù）( Te)≥離子溫度（dù）(Ti)，可達104K以上，而其離子和中性粒子的溫度（dù）卻可低到300～500K。一般氣體放電子體屬於低溫等離子體（tǐ）。

截至2013年，對低溫等離子體的作用機理研究認為（wéi）是（shì）粒（lì）子非彈性碰撞的結果。低溫等離富含電子、離子（zǐ）、自由基和激發態分子，其中高能（néng）電子與氣體分子（原子）發（fā）生撞（zhuàng），將能（néng）量轉換成基態分子（原子）的內能，發生激發、離（lí）解和電離等一係列過秸處於活化狀態。一方麵打（dǎ）開了（le）氣體分（fèn）子（zǐ）鍵，生成一些（xiē）單分子和固體微粒；另一力生（shēng）．OH、H2O2．等自（zì）由（yóu）基和氧化性極強的O3，在這一過程中高能電子起（qǐ）決定性作用，離子的熱運動隻有副作用。常壓下，氣體（tǐ）放電產生的高（gāo）度非平衡等離子體中電子溫層氏度）遠高於氣體溫度（室溫100℃左右（yòu））。在非平衡等離子體中可能發生各種類型的化學（xué）反應（yīng），主要決定於電子的平均能量（liàng）、電子密（mì）度、氣體溫度、有害氣體分子濃度和≥氣（qì）體成分。這為一些需要很大活化能的反應如大氣中難降解汙染物的去除提供了另外也可以對低濃度（dù）、高流速、大風量的含揮發性有機汙染物（wù）和含硫類汙（wū）染物等進行處理。

常見（jiàn）的產生（shēng）等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電（diàn）是指通過某種機製使一電子從氣體原子或分子（zǐ）中電離出來，形成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電離氣由外電場產生並形成傳導（dǎo）電流，這種現象稱為（wéi）氣體放電。根據放電產生的機理、氣體（tǐ）的壓（yā）j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放（fàng）電（diàn）等離（lí）子體主（zhǔ）要分（fèn）為以下幾種形式：①輝光放（fàng）電；③介質阻擋放電（diàn）；④射頻放電；⑤微波放電（diàn）。無（wú）論哪一種形式產生的等離子體，都需要高壓放電。容易打（dǎ）火產生危險。由於對（duì）諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓下進行。

光催化和生物淨化設（shè）備

光催化是常溫深度反（fǎn）應（yīng）技（jì）術。光催化氧化可在室（shì）溫下將水、空氣和土壤中有機汙染物（wù）完全氧化成無毒無害的產（chǎn）物，而傳（chuán）統（tǒng）的高溫焚燒技（jì）術（shù）則需要在極高的溫度下才可將汙（wū）染物摧毀，即使用常（cháng）規的催化（huà）、氧化方法亦需要幾百度的高溫。

從理論上講，隻要半導體吸收的光能不小於其帶隙能，就足以（yǐ）激發產生電子和（hé）空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光（guāng）催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自（zì）對特定反（fǎn）應（yīng）有突出優點，具體研究中可根據需要選用，如（rú）CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜（pǔ）中（zhōng）的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用（yòng）自然光能，但它容易發生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜（zōng）合性能較好，是最廣（guǎng）泛使用和研究的（de）單（dān）一化合物光催化劑。

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