半導體行業VOCs廢氣處理解決方案

源和（hé）小（xiǎo）編今天為大家分享半導體行（háng）業VOCs廢氣處理的解決方案。

半導體行業中使用的清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等溶劑中含有大量有機物成分。 在（zài）工藝過程中，這些（xiē）有機溶劑大（dà）部分通過揮發成為廢氣排放（fàng）。

     目（mù）前，針對這（zhè）種氣體排放，一 般采用吸附、焚燒或（huò）兩者相（xiàng）結合的處理方法（fǎ）。 吸附是利用多孔性固體（tǐ）吸附劑處理混合氣體，使其中所含的一種或（huò）多種組分吸附於固（gù）體 表麵上，達到分離的目的。吸附劑選擇（zé）性高，能分開其他過程（chéng）難以分開的混（hún）合（hé）物，有效地清 除（或回收）濃度很低的有害物（wù）質，淨化效率高，設備簡單，操作方便，且能實現自動控製。

但固體吸附劑的（de）吸附容量小，需要大量的吸附劑，設備龐（páng）大，且吸附後吸附劑需要再生（shēng）處理，是吸附處理的主要缺點。半導體生產場（chǎng）所揮發出來的（de）有機廢氣通（tōng）過局部（bù）排風（fēng）罩收集，經管道送至吸附（fù）淨化係統。一般采用活性炭作為吸附劑。因為活（huó）性炭是非極性吸附劑，對廢氣（qì）中水蒸（zhēng）氣的靈敏度不高，且價格便宜。 焚燒的方法也廣泛用於半導體行業的（de）各種有機廢氣處理，通過熱氧化將有機物轉化為 CO2 和水。同時（shí），焚（fén）燒對處理穩定流量和濃度（dù）的廢氣也是一種很好的方法。在熱氧化中，有機廢氣流經過加熱，氣相中的有機物被氧化。為節省燃料使用，通常還使用（yòng）熱交（jiāo）換器，回收焚燒產生的熱量對進口氣（qì）體進行預熱。對（duì）於處理大流（liú）量、低濃度的氣體，通常都要采用這種方法。 由於半導體行業廢氣焚燒會產生SiO2，且SiO2會使催化（huà）劑鈍化，因（yīn）此半導（dǎo）體（tǐ）行業中很少（shǎo）采用接觸氧化的方法。

一些半導體（tǐ）生產廠也使用旋（xuán）轉濃縮係統富集有機廢氣（qì），如沸石濃縮轉輪。因為半導體（tǐ）工藝過程中有機廢氣具有排放流量大（通常大於 11039 m3 /小時）和濃度低（通常小於 25ppmv） 的（de）特點，使（shǐ）用（yòng）其它的處理技術難以達到令（lìng）人（rén）滿意的處理效率。沸石濃縮轉輪使用內帶吸收物質的旋轉輪，其（qí）中的吸（xī）收物質部分曝露於廢（fèi）氣流中（zhōng）。轉輪吸收廢氣中的揮發性汙染（rǎn）物，並使用蒸汽或熱將其脫附。脫附的氣流中（zhōng）富集了（le）較（jiào）高濃度的揮發物（wù），這種低流量、高（gāo）濃度的氣流能很好地被氧（yǎng）化。旋（xuán）轉濃縮係統用（yòng）於半導體行業的一個缺點是它對甲醇親和力較差，去除率僅為 40-60％。

     總而言（yán）之，廢氣處（chù）理方麵，半導體行業酸、堿廢氣一般采用相應的堿液吸收和酸液吸收進行（háng）處理， 工藝方法已非常成熟，隻要適當優化相關工藝參數，能夠滿足本標準的要求，需要關注的（de）有 機廢氣的處理。目前處理有（yǒu）機廢氣的工藝有吸附法、吸收法、直（zhí）接燃燒法、催化燃燒法、冷凝法等，吸附法采用活性炭直接（jiē）吸（xī）附，淨化效果好，但是運營成本會很高；吸收法適（shì）合於（yú）溫度低、中（zhōng）高濃度的廢氣；直接燃燒法適合於高濃度、小風量廢氣治理；冷凝法（fǎ）適用於成分相 對單一、濃度（dù）高、且有一定回收價值的有機廢（fèi）氣。對於半導體（tǐ）行業低濃度、大風量、成分複雜的（de）有機廢氣，吸附法、吸收法、燃（rán）燒法、冷凝法均不適用，比較適用的（de）是吸附——催化燃（rán）燒法。目前省內一些大型半導體企業已采用沸石轉輪濃（nóng）縮（suō）後燃燒，該方法適用於大風量、低濃度（dù）、常溫的有機廢氣處理，淨化效率達到90％以上，濃縮比達20﹕1，運行費用較低，設備處理風量大，占地麵積小，不產生二次汙染，可（kě）持續脫附並處理汙染物。根據企業實際運 行情況（kuàng），有（yǒu）機（jī）廢氣進氣濃度（dù）在200mg/m3以上時，處（chù）理（lǐ）效率達（dá）到95%；200mg/m3以（yǐ）下時（shí）處理（lǐ） 後濃度控製在（zài）20mg/m3，可保證廢氣達標排放。

通過小編以上的（de）介紹（shào），您（nín）是否對半導體行業VOCs處理有了更深入（rù）的認識了呢，希（xī）望能幫助到您。如您想了解更多的（de）廢（fèi）氣處理相（xiàng）關知（zhī）識，歡迎您關注源和（hé）環保。

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